本文标题："显微衍射技术电子图象-晶粒尺寸小于15-20μm"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2014-10-7 17:24:56
显微衍射技术电子图象-晶粒尺寸小于15-20μm
在多晶体中，各个晶粒的取向是通过蚀坑，或由显微
衍射技术得到的电子图象确定。立方对称的主要平面
中蚀坑的典型形状。但如果晶粒尺寸小于15-20μm，
则很难得到清晰的蚀坑.为此目的而使用电子显微镜是很费力的。
对很大晶粒(超过0. 5mm)的取向可在劳埃照片或从单个大
晶粒上获得的反射线劳埃照片上测定。所确定的取向在相应
的极图上用圆点来标注。在极图上，这些圆点分布的花样表征织构.
从不同晶粒中取得的大量劳埃照片使极图更可靠的表征织构类型。
然而这个方法相当费力。
在这方面，建立在测量单个晶粒的反射强度基础上的X射线
方法在再结晶分析中获得更广泛的应用.
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