本文标题："电子显微镜分辨率高，但观察的试样范围小"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2016-3-12 1:31:51
电子显微镜分辨率高，但观察的试样范围小
形核过程
再结晶的形核是一个比较复杂的过程，这一过程可能从几十
个或几百个原子范围的微观尺度开始发生，并常常局限于变形基
体的某些局部。从实验角度来讲，光学显微镜的分辨率不够大，且
不便确定晶粒的取向；而电子显微镜分辨率高，但观察的试样
范围又很小。因此，人们难于捕捉到再结晶形核过程的起始行为。
金属再结晶形核的理论至今还很不完善，尚有不同的理论来描述
这一过程。
经典形核理论
经典形核理论认为，在变形结构中借助点阵结构的能量起伏
可以形成具有长大能力的核。这电是所谓的均匀形核或自发形核
过程。在这一过程中，一方面由于低位错密度结构的形成使自由
能降低；另一方面由于生成的新核与基体的界面又使自由能升高。
上述分析表明再结晶的形核过程不可能是经典的自发形核过
程，但是经典形核理论提供了一个临界核尺寸的概念，即再结晶
核必须大于某一尺寸才能自发生长。由于能量起伏实际不能造成
再结晶核，因此，人们不得不设想大于临界尺寸的再结晶核已存
在于变形基体内。
晶界形核(应变诱发晶界移动)
解释再结晶形核过程通常要说明再结晶核与变形基体之间是
怎样形成可动性好的大角度晶界的。变形金属通常是多晶体，因
此常常会有许多大角度晶界。由于各晶粒取向的差别，当冷变形
量很低时不同取向的晶粒所经受的变形量可能不同，因而它们的
位错密度会有所差别。一晶界两侧位错密度的这种差别在一定条
件下会造成该晶界向高位错密度一侧移动。当变形量较高时，则
大角度晶界两侧的位错密度没有本质区别，因而不会出现上述驱
使晶界单向移动的驱动力。如果大角度晶界两侧的晶体由于取向
或其它因素的影响，在回复过程中进行了不同的结构调整从而造
成了位错密度上的差异，则驱使晶界单向移动的驱动力也会因此
而产生，进而造成了再结晶核的形成。
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电子显微镜分辨率高，但观察的试样范围小,金相显微镜现货供应
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