本文标题："封闭电极结构-硅表面生成一层高质量氧化物"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2017-4-28 1:30:7
封闭电极结构-硅表面生成一层高质量氧化物
三相电阻海结构:为了封闭电极结构，克服周围环境的影响，
采取的方法之一是引用硅栅结构。在氧化层上淀积一层连续的高
阻多晶硅，然后对电极区域进行选择掺杂，形成高阻与低阻相间的
三相电极图案。电极间互连和焊接区采用蒸发铝来实现。这种结
构成品率高，性能稳定，不易受到环境温度的影响，它的缺点是尺
寸较大，仅用于小型阵列器件。
三相交叠硅栅结构:三相交叠硅栅结构是常用的三相交叠电
极结构形式。它既可使得电极间隙极窄，又能得到封闭的电极结
构。三相交叠电极可以是多晶硅，也可以用金属铝，或者二种混
用。先在硅表面生成一层高质量的氧化物，然后沉淀二氧化硅和
一层多晶硅，在多品硅上刻出第一组电极;再进行热氧化，形成一
层氧化物，而后沉淀多品硅掺杂，并刻出第二组电极，以此类推，做
出三相电极。这是一种被广泛采用的结构，主要问题是制造工序
较多，而且必须防止层间短路。
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