本文标题："钼丝相接触的试样衍射图谱光学分析仪器,材料检测显微镜"

钼丝相接触的试样衍射图谱光学分析仪器,材料检测显微镜

高真空下的试验

  低能电子衍射研究是在另外的管子内进行的，在所用的电子束
能量小于300电子伏的使用情况下，衍射图谱对表面的情况是极
灵敏的，在两种实验中，装置在与嵌入晶体后面空穴的钼丝相接
触的试样都能够用从屏蔽灯丝中出来的电子轰击加热，样品也都
能够以氩离子轰击来清洗，氩气允许通过一个大的吸气管来消除
研磨，研究了几个N型和P型的，电阻率在0.3-2欧姆-厘米范围内
的商业级晶体。

  以已用于若干其他材料的离子轰击清洗过程来清洗样品，这个
过程包括：在1000℃高真空下加热SiC晶体约100小时除去吸附的
气体，样品再经几次这样的循环，即在约500电子太、100微安/
厘米的氩离子轰击、加热、使轰击所损坏的表面退火，并且去除
轰击时在表面或近表面捕集的氩。

  离子轰击和1000℃加热的清洗循环的结果如下：
  （a)在离子轰击和加热以后，表面是非化学计量的——可能有
着过量的碳，在高真空下长时间加热可能由于游离碳或其他来自
体内的杂质的扩散而得到表面情况恶化的结果。
  （b）若样品吸附氧后在压力为10毫米水银柱数量级的氧气中
或在真空中相继加热，碳很显著地从表面去除掉。
  在所得到的适宜条件下，N型样品的功函数决定于所给与的正
确的热处理在4.30电子伏和4.40电子伏之间，而一个P型样品有
着4.62电子伏的功函数，当清洗过样品在室温下暴露于氧气中的
10毫米水银柱数量级压力下，可以观察到功函数的增加和光电产
纺的减少，曾经注意到功函数随吸附作用而变化的两种方式，在
某些面上看到迅速增加，功函数的表现平衡值大约高于清洗表面
0.40电子伏。
  两种吸附方式之间的差别是这样的，认为它们是和原子种类的
非对称性相联系的，这种非对称性可以存在于二元晶体的相反的
面上，这种见解由于观察到在同一晶体相反的同上有两种不同方
式所证实了，因此，若在某些面上，硅在外层为主要的，相反的
面则为碳，可以预料有着两种吸附方式，从已知硅的吸附性质，
需要循环过程的面似乎会是那些有着碳的外层的面，已经观察到
相反面上的腐蚀速率的差别，但是对于这种材料象对其他二元化
合物一样，明确地鉴定其合适的原子种类的努力尚末成功。
  随着氧吸附后，发现在真空中加热，至低达500℃时能够部分
的恢复清洗表面的情况，由此提示，由于挥发性氧化物的挥以产
生了一些去除作用。

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