本文标题："熔融态硅的石墨坩埚加工技术简介"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2017-10-31 22:10:35
熔融态硅的石墨坩埚加工技术简介
现代的切克劳斯基拉单晶工艺是在1917年切克劳斯基发明的金
属单晶生长技术基础上发展而成的。它的基本程序是，将顶端夹有
单晶硅籽晶的夹持杆伸人到含有熔融态硅的石墨坩埚中，籽晶部分
浸入熔融硅。然后一面旋转，一面慢慢地拉出籽晶，一般拉取速度
约为每分钟几毫米。整个过程必须在氩气氛保护下进行。图13—3
示出了切克劳斯基拉晶炉的结构示意图。该炉可以用射频(RF)功率
加热，也可以用一般的电源加热。在加热熔化多晶硅过程中，可以
添加一定量的掺杂杂质，使生长的单晶具有设计好的n型或P型性质
。掺杂的数量，在单晶棒的径向截面上是恒定的，但在沿棒的轴向
方向上是有所不同的，好在这种数量的变化是可预知的，所以它不
会对微电子器件的生产造成严重问题。
切克劳斯基工艺生长的晶体硅纯度不是很高，有些时候，例如
生产功率器件时，因为需要材料具有很高的载流子迁移率，所以要
求硅有更高的纯度，这时切克劳斯基法已不大适用。可以采用的方
法之一是悬浮区熔技术，它的生产成本较高
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