本文标题："霍尔传感器由一层薄的P型(或N型)半导体材料组成"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2018-7-16 1:10:48
霍尔传感器由一层薄的P型(或N型)半导体材料组成
霍尔效应传感器由一层薄的P型(或N型)半导体材料组成，其内带有连续
电流。当器件处于磁场中，半导体两端的电压差取决于与电流方向垂直的磁
场强度。载荷子(电子)在穿过磁场中运动时受到洛伦兹力(磁场对运动电荷
产生的作用力)的作用，洛伦兹力与运动方向和磁场方向成直角。电子在洛
伦兹力作用下产生霍尔电压。霍尔电压与穿过半导体材料的磁场强度成正比
关系。电子迁移率较高的半导体材料，如铟(In)、锑化铟(InSb)、砷化铟(I
nAs)、砷化镓(GaAs)，被广泛应用于霍尔效应传感器中(Eten，2001)。由于
输出的电压通常较小——不超过几mV，因此需要对其进行放大和信号调节，
以提高灵敏度和补偿迟滞(对于给定的输入，上升和下降输出值之间的差异)
。对于商用传感器，敏感性、信号放大、电压调整和信号调制功能都包含在
单个封装中。
霍尔效应传感器显示出较好的环境抗干扰能力．不受粉尘、振动和潮湿
的影响。然而，该类传感器会受到临近的其他来源的磁通量的影响，例如由
电线产生的磁通量。该类传感器结实耐用，可以不通过机械接触进行传感检
测，但是只在一定距离范围内有效，除非磁场强度很高，否则当距离大于10
cm就失效。
光学传感器
半导体光学传感器种类繁多，最常见的是光敏二极管，它是一种将光信
号转换为电流或电压的光学检测器。光敏二极管通常具有一个开窗或与光纤
连接，让光信号到达PN结或PIN结(在P型与N型半导体区域之间添加了一层本
征半导体区域)。光敏二极管更多地采用PIN型，因为PIN型比PN型具有更快
的响应速度。当一个具有足够能量强度的光子轰击二极管的耗尽层时，会与
其中的原子发生碰撞并释放出电子，由此产生出自由电子(以及与之相对的
带正电的电子空穴)。耗尽层或者一个扩散长度范围内的自由电子和空穴，
在外加电场作用下被分隔开。
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