本文标题："应用于晶粒平均尺寸测定分析专业图像显微镜厂商"

应用于晶粒平均尺寸测定分析专业图像显微镜厂商

快速热退火
一般退火处里是利用热能将材料内应力缺陷消除，或使材料内杂质产生扩
散作用；材料晶格内的原子及缺陷在受到外加能量作用后，会产生振动及扩散，迫
使原子排列重新组合，进行再结晶。当退火温度较低时，热能量仅能提供晶格内的
原子运动及缺陷重新分布达一稳定态，无法对晶体结构产生任何变化，此阶段称为
复原。当热能使材料内的缺陷因原子重新排列而降低，进而产生无差排的晶粒时
称为再结晶过程。当退火温度继续提升，再结晶过程所形成的晶粒就具有足够的能
量克服晶粒间的表面，晶粒即开始消耗并吞小晶粒而成长成较大的晶粒，此阶段称
为晶粒成长。
快速热退火（Rapid Thermal Annealing RTA）处理过程包含三阶段：升温阶段、
稳定阶段和冷却阶段，升温过程中，单位时间内温度变化量的大小，亦即升温速率，
将影响材料晶粒形成大小，在稳定阶段和冷却阶段，时间的长短都将对材料内应力
型态造成影响

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