本文标题："电路生产工序切割成厚度截面分析金相显微镜"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2015-7-27 16:0:13
电路生产工序切割成厚度截面分析金相显微镜
原材料制备
事实上每一道集成电路生产工序都要求使用高纯材料。对
硅原材料来说，对纯度的要求是最高的。几乎任何一门工业所
面临的困难都无法与半导体工业大生产所需的超纯硅材料所遇
到的困难相比。
偶而一个硅原子会不取衬底的晶向而固化在衬底表面。作
为一个独立的集结中心，它可成为枝状晶体生长的基地(枝状晶
体比正常的晶体生长快得多)。枝状晶体生长导致尖峰的产生，
它会擦伤或磨损掩模。
硅片制备
将单晶硅切割成厚度适当的硅片是一项复杂的工艺。硅的
硬脆性要求采用金刚石切割片切割。切割后的硅片表面必须研
磨以去除切痕和受损伤的材料。由于损伤区会继续向硅片下表
面扩展，深度约为所用磨料直径四分之三至两倍的距离，故必须
使用较细的磨料。机械损伤的最后痕迹既可用化学腐蚀又可用
生长二氧化硅的方法来去除。抛光后硅片的表面应光亮如镜。
百分之五十以上的切片消耗在去除机械损伤部位上。在整
个工艺过程中必须仔细操作硅片。研磨和抛光中使用的磨料以
及碎片产生的硅屑会在硅片表面产生深的划痕。在每一次研磨
和抛光后必须清洗每一片硅片，以去除磨粒。
扩散
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