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本文标题："扫描电容显微镜观察掺杂元素影像的动态观察"

发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------ 人浏览过-----时间：2013-3-9 5:51:2

扫描电容显微镜观察掺杂元素影像的动态观察

扫描电容显微镜

半导体的元件运作及电性可以经由不同的掺杂浓度及自由载子的分佈来控制，

被用来分析掺杂元素或载子的一维空间分佈及浓度变化。

以往，制程发展工程师可利用一维扩散模型，以模拟计算寻求最佳化的制程条件。

但随着半导体元件深次微米化的进展，闸极通道变得越来越小，汲极与源极区域之掺杂元素的侧向扩散效应，

将强烈影响闸极通道内掺杂元素的分佈与浓度变化，因此，如何取得多维空间的掺杂元素或载子浓度影像的动态观察与分析，

将是制程发展工程师建立準确深次微米制程模拟模型的重要关键

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