本文标题："近场光学显微镜材料矿石直径3μm深为1.5μm观察"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2013-3-15 5:11:9
近场光学显微镜材料矿石直径3μm深为1.5μm观察
利用扫描式近场光学显微镜对不同样品做非破坏性检测分析。我们用紫外光雷射或绿光雷射耦合入光纤，
使用扫描式近场光学显微镜观察图样化蓝宝石基板上成长之氮化镓薄膜的缺陷。
蓝宝石基板分别为凹、凸直径3μm深为1.5μm两种圆形阵列图样，
其中GaN薄膜成长于凹的蓝宝石基板的过程中再随机的植入直径约1μm厚约100nm的SiO2圆形结构。
得到的影像可以发现SiO2结构上方会形成良好的GaN薄膜导致有将雷射完全吸收的现象，
并且蓝宝石基板凹洞上方亦可以长出良好的GaN薄膜；在有凸起状的蓝宝石基板上长的GaN，其高低交界处有明显的缺陷。
此外，我们用红外光雷射耦合入光纤，并利用光侦测晶片(900 ~ 1700 nm)改装成可架入系统中光侦测器，
进而可以得到Ge薄膜在SiO2/Si晶片中的生长分佈状况。而矽基板是由电子束微影术与反应性离子蚀刻制作出直径为200nm、
深20nm的圆洞，圆洞互相间隔距离分别为800nm、1000nm。Ge薄膜厚300nm，最后还附盖上100nm的SiO2来保护Ge薄膜。
运用扫描式近场光学显微镜及自制光纤探针配合不同光源跟光侦测器开发出可适用检测不同能隙材料在不同种类晶片中生长情形之非破坏性近场量测
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近场光学显微镜材料矿石直径3μm深为1.5μm观察,金相显微镜现货供应
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