本文标题："高速微电子元件材料的特点-具有高的导热"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2013-6-18 5:27:40
高速微电子元件材料的特点-具有高的导热
随着半导体高介电材之发展其应用于MOS FET之闸极薄介电层
越越受重视，氮化铝
AlN高介电半导体材具有高能隙的特点且结构稳定具有高的导热，
因此可应用于高速微电子元件之应用，此外由于
氮化铝对紫外光具有高穿透性因此也有潜可应用于制作紫外光波段
之光侦测器元件，本研究用准分子射溅镀
AlN薄膜于Si基板上完成一
Al/AlN/Si MIS元件之制作，并研究其光电特性。
本文将介绍准分子射溅镀
AlN薄膜之基本原及其沉积条件射能对
AlN薄膜表面粗糙之影响，以及用IV 及CV测分析
Al/AlN/Si MIS元件介面之性质，以及其对波长光响应的影响，作为未
发展以Si为基础之紫外光光侦测元件之考
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