本文标题："晶片品质检测双目立体显微镜厂商"

几乎所有的产品都会有记忆体元件在晶片中。

如果 我们没有记忆体相关的时序参数，将会很难对产品下定规格。传统上会使用测试
机台对记忆体的时序参数做量测。然而，一些测试机台的周边器材，像是探针以
及与晶片之间连接的传输线等等，都会造成一些额外的延迟时间，这会导致量测
结果的误差。另外，针对系统晶片(system-on-chip)，我们很难直接存取内部记忆
体的输入输出讯号。因此我们需要一个内嵌式解决方案。

我们提出一种能量测记忆体时序参数的架构。它能够量测准备/保持时间 (setup/hold
Time) 以及存取时间(access time)。在准备/保持时间的量测，我们使用有效讯号
(valid signal)来使输入讯号只会在有效窗口(valid window)中输入正确的值。我们
可藉由调整有效窗口与时脉讯号之间的时序关系，来量测出准备/保持时间。在
存取时间量测的部分，我们使用一个时间至数位转换器

 (time-to-digital converter)。它能够记录最差情况的结果，因此我们能够跑完完整的测试之后，
最后得到最坏情况的存取时间。我们也针对准备/保持时间以及存取时间的量测
提出校准方案(calibration scheme)。这份电路完全是以标准元件所组成，因此很
容易转移到期它制程上。我们以TSMC 0.18um 制程来实现，实验结果显示准备
时间/保持时间的误差在2.4% / 7.5%内，存取时间的误差在4.4%以内。在使用
4096x64 的记忆体时，仅有6.2%额外面积代价
 

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