将光罩放入曝光机内，将刻在石英片上的图形放在曝光机中的“透镜组”上方进行“第二次缩小”到大约十分之一。由于使用电子束刻在石英片上的图形线宽大约1μm(微米)，经过曝光机缩小到十分之一变成大约0.1μm(微米)，如＜图3-7(c)＞所示，将光罩放在曝光机中的透镜组上方，最上方以紫外光雷射照射，紫外光经过透镜组将光罩上的图形(线宽大约1μm)缩小到十分之一后投射到矽晶圆上(线宽大约0.1μm，目前为0.13μm)，称为“图形转移”，光罩上的图形转移到矽晶圆以后还要经过高温氧化、掺杂技术、蚀刻技术与薄膜成长等化学或物理程序，才能完成晶片的制造工作，这个部分将会在后面详细介绍。

 

积体电路的制作和盖大楼最大的不同在于，积体电路是按照设计图“缩小”，而盖大楼是按照设计图“放大”，这样的缩小在生活中最常使用在照像的时候，照像机可以将几百个人甚至摩天大楼缩小到一张小小的底片上，就是由于照像机的“镜头”具有“聚光”的功能，可以将很大的物体聚成很小的影像，再投射在底片上。上面所提到的“透镜组”就好像是“照像机的镜头”一样，而“光罩”就好像是“照像机所拍摄的景物”一样。

 

盖大楼的第二步要将画好的建筑设计图(蓝图)，交给营造厂让土木工程师在地面上施工，而积体电路制作的第二步要将IC设计图刻成光罩，再将光罩交给晶图代工厂让制程工程师在矽晶圆上施工。