本文标题："电阻测量应在比测量较低纯度样品更低温度下进行"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2015-5-6 5:13:44
电阻测量应在比测量较低纯度样品更低温度下进行
测量电阻率以便电子在外表而上的散射并不导致电阻率的明
显增加.电阻测量应该在比测量较低纯度样品更低的温度下
进行。这是因为杂质对电阻率的贡献是测量到的电阻率值减
去由于热激发引起的电阻率.在液氢温度下，“理想”电阻
率在高纯铝总电阻率中仅是一个小部分，但它在区熔提纯铝
中变得非常重要.为了避免纯度贡献上由此所导致的大的误
差，测量在液氮温度下进行，理想电阻率与残留电阻率相比
因而很小。
电阻率测量确定纯度也已成功地应用于其它金属。对子
铜来说，如果在适当条件一「进行退火，特别是应防止导致电
阻率很大改变的氧的存在，那么这个方法是灵敏的，并确实
给出了好的结果。
除了测定纯度外，电阻率测量在物理金属学中还得到了
其它应用.例如杂质在点阵中不同位置对电阻率有不同影响
就被用来研究沉淀.纯金属中来自杂质的电阻率很小，因而
低温电阻率可以灵敏地鉴定点阵缺陷的存在.
总之，用低温电阻率测量研究纯金属，由于能快速测定
杂质总量，因而是一个很有成果的方法.但得出的是半定量
的结果，这些结果应该与分析数据相比较，而分析方法是测
定每种存在杂质的浓度的唯一方法。
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