本文标题："再结晶温度和这种类型过饱和固溶体成份的关系"

再结晶温度和这种类型过饱和固溶体成份的关系
 
    1．析出物与单个位错及位错群发生相互作用。首先，这个
情况与共格析出物有关，此析出物抑制再结晶晶核形成的最早期
阶段，也即最有效地起作用。    、
    在只发生分解的最早期阶段，获得了明显的类似结果，导致在
每错和位错堆积上形成析出物和溶质原子的偏聚．
    2．析出物沉淀在小角界面上。在这种情况下，析出物减缓
亚晶粒的生长。也即阻碍再结晶晶核形成的最后阶段。通常，非
共格或部分共格的析出物沉淀在亚晶界上，正如在大角晶界上析
出一样。但由于小角界面能低于大角晶界能，因而对小角界面的
阻碍作用是较大的。 
    3．析出物择优沉淀在大角晶界上．在这种情况下，轻度变
形后加热时，靠原始晶界移动的再结晶受阻。
    在大变形之后加热时，再结晶晶核生长受阻碍(即这种阻碍
在一次再结晶结束和晶粒开始长大时起作用)。这意味着，一次
再结晶的两个阶段——形核和长大——在单相合金中接连发生而
不中断。但在过饱和固溶体中，则被大的温度一时间区间所分开。
用普通方法所观察的，再结晶的开始实质上是晶核强烈长大的开
始。
    因此，再结晶温度和这种类型过饱和固溶体成份的关系可用
两条曲线表示。其中较低的一条相当于晶核形成的温度，较高的
一条相当于这些晶核开始生长的温度。

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