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本文标题:"扫描式电子显微镜观察锡球或晶圆封装"

发布者:yiyi ------ 分类: 行业动态 ------ 人浏览过-----时间:2013-1-10 23:37:50

 扫描式电子显微镜观察锡球或晶圆封装

 
随着可携式电子产品和通讯仪器的快速发展,都趋向于轻、薄、短、小的特性发展,所以电子封装也朝着这方向而努力发展,
而晶圆级封装(WLCSP)因为轻薄短小的特性已经广泛的应用在可携式电子产品上,
预估其将在未来成为主流趋势,却因可携式电子产品可以随身携带或移动,造成其破坏失效的状况发生可能多到不计其数,
而且其使用环境也不尽然一样,但大多可归咎于锡球接点很容易在动态负荷下产生损坏,进而造成电子元件无法正常运作,所以对封装体进行反覆负载的研究愈来愈受重视。
 
 
本文对晶圆级封装体结构分为钝化层(Passivation)、重新佈线层(RDL)、凸块底层金属(UBM)等参数,将各组不同晶圆级封装体进行三种可靠度试验,
分别为掉落衝击试验、弯曲循环试验、温度循环试验,并以韦伯分佈表示晶圆级封装体的特征寿命,观察结构对其寿命週期之影响,
另外以红染料试验分析失效锡球之分佈位置并推测最早失效锡球可能出现之地方,
也使用扫描式电子显微镜观察锡球或晶圆级封装体上裂缝出现之位置,推论裂缝可能之路径。
 
三种实验互相比较之后,以掉落衝击实验观察到晶圆级封装体结构与特征寿命有明显关系,
以往掉落衝击常会造成锡球介金属(IMC)产生裂缝,而晶圆级封装体结构则观察到其裂缝转变为第二层钝化层与凸块底层金属界面之角落。
 
三种实验后之晶圆级封装体失效锡球位置一致性地分佈于封装体之角落。
温度循环实验之失效锡球在扫描式电子显微镜下,观察到不同组之失效锡球有着类似相同之失效机制,其裂缝横切过锡球,位置在锡球体上靠近封装体侧。

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