量化粗糙度量测和表面成像，例如白光干涉术

。这个方法已经成功的建立且被使用许多年，且可以透过此非接触式量测法获得阶梯高度(step height)或相似的参数(图一)。然而，最新发展的设备软体已经能大幅提升现今白光干涉术的高度解析度(height resolution)，且已达到可与AFM相匹敌的程度。

 

举例来说，我们已经使用IQE的Taylor Hobson CCI 3000A干涉仪进行量测分析，这个设备可以藉由使用独创的相关性演算法(correlation algorithm)来定位由白光光源产生的干涉图桉之同调峰(coherence peak)和相位位置(phase position)，进而测定表面形态达0.01nm的垂直解析度。同调相关干涉测量法(coherence correlation interferometry, CCI)技术有充分能力量测许多半导体样品的粗糙度，即使这些材料的粗糙度在0.1-1nm范围。但白光干涉仪的横向解析度(Lateral resolution)依然较AFM差，且绕射极限达0.35mm，这也限定了白光干涉术最大横向放大倍率。然而，对于半导体样品的实际产品量测，这个限制并不会造成太大的影响，儘管如此，白光干涉仪的优点是成像的量测面积上大于AFM。

 

我们将Taylor Hobson干涉仪固定在被动防震平台上，以利我们评估并使用它来对砷化镓(GaAs)基板、磷化铟基(InP-based)基板及磊晶晶片(epiwafer)进行成像。所有这些量测均使用放大倍率50倍的物镜，且其物镜可达3.4 mm的工作距离。当使用1024 x 1024像素CCD阵列时，这个放大倍率将可提供超过280mm成像面积的最大横向解析度。这个设备也可以使用较低放大倍率的镜组来达到7mm x 7mm的成像面积，但这同时也会降低横向解析度