椭圆偏光仪基本上是利用反射光相对于入射光偏极态的转变，以反推介质的光学特性。

为了测量变化中的材料，如电浆蚀刻薄膜、真空镀膜过程的沉积速率和厚度、加温中的晶体以及高分子的感光过程，

 

对椭圆偏光仪测量速度的改进已成为近年来业界研究的主要目标。

 

简式到线上即时监控的椭圆偏光仪的研究已有十多年。从将补波片换成光弹调变器，

我们将快速资料撷取卡装置在系统中。最近所提出的记录后分析法，已可在20 µs测量一组椭圆偏光参数。

 

 

本文提出一雷射反射光彩像结合标準探针式粗糙度量测方法，以已知波长之He-Ne雷射光爲光源，预估其反射影像线宽与粗糙度(R(下标 a))之关系。量测系统建立在材料、入射角、波长及检测距离等参数设定下，可获得一简单量测执行模式。此执行模式经由多次实验值显示均可供生产线上之相同材料粗度检验，其R(下标 a)值量测不準确度在0.034μm以内。