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本文标题："使用扫描电流显微镜对氧化层进行量测"

发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------ 人浏览过-----时间：2013-4-16 21:15:40

可经由微区的电特性量测来暸解氧化层内漏电流之传导机制，进而分析其薄膜品质。然而上述方法仍属于破坏性的量测方式，

于是我们利用统计电流分布的方式，计算扫描区域的穿隧电流(tunneling current)讯号分布之半高宽值(full-width at half-maximum，FWHM)，

藉FWHM值的变化来分析薄膜品质好坏。首先，扫描电流显微镜在零偏压条件下对氧化层进行量测，

由电流分布统计得到初始FWHM值，从进行量测的过程中可知，当施予的偏压产生微小变化，会明显影响其穿隧电流的大小，

当逐渐增加偏压会陆续得到其他电流分布的FWHM值，比较各组数据之间的差异，

当设定的偏压增加至-5.0 V左右会造成FWHM值有较明显的上升，其原因是较大的偏压能提供较高的电场，

导致较大的穿隧电流从试片表面传导出来，因而使得电流讯号分布增加，以致于FWHM值上升，

其原理为近代物理的量子穿隧(quantum tunneling)理论，扫描电流显微镜在进行量测时，

导电探针与试片会形成一微小的MOS (metal–oxide– semiconductor)结构，当施予高偏压会使得氧化层的能障宽度变窄，

相当于氧化层厚度变薄，此时电子越过三角能障区域而产生F-N穿隧电流的机率便会增加。而根据F-N穿隧理论，若穿隧电流的大小为IFN，

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