本文标题："硅片凹曲、光刻胶涂层不匀制版工艺检测显微镜"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2015-7-28 5:6:17
硅片凹曲、光刻胶涂层不匀制版工艺检测显微镜
最广泛使用的制版工艺可获得比目前使用的光刻胶更高的
分辨率。各批化学品之间的变化、光刻胶涂层厚度的差异和材
料贮存时间的长短都会引起分辨率的变化。硅片与掩模间距不
平行会引起分辨率的降低。掩模与硅片的间隔使曝光产生散
射。硅片凹曲、光刻胶涂层不匀、光束不平行或光源强度不匀亦
会产生同样的毛病。
光刻工艺的基本原理要求曝光区的光刻胶应完全聚合。但
是粘滞的差异会引起厚度的变化，这些变化会导致曝光过量或
不足。薄的光刻胶涂层易引起侧蚀，而厚的光刻胶涂层在曝光
后的显影或去胶操作时则难以去除，同时还会引起腐蚀不彻底
或对扩散工艺的沾污。
光刻胶易失效，故应贮存在阴凉处。应自始至终使用合适
的新鲜光刻胶。
不同杂质含量的玻璃的腐蚀速率亦不同。磷玻璃一般比
硼玻璃的反应性更强。玻璃腐蚀速率快慢并存的地方就会产
生一方面要避免腐蚀不彻底，而另一方面又要尽可能减少侧蚀
的双重问题。基本的酸腐蚀剂一般应加以‘缓冲，以获得可控的、
均匀的腐蚀速率。
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